產(chǎn)品名稱

中文名稱: 純進口HQ graphene 硒化鉍晶體

英文名稱：HQ graphene Bi2Se3 crystal

產(chǎn)品概述

Bi2Se3是塊體晶體帶隙約0.3 eV的拓撲絕緣體。這些層通過范德華相互作用堆疊在一起，可以剝離成薄的二維層。Bi2Se3屬于15族過渡后金屬三鹵族。 Bi2Se3晶體具有典型的橫向尺寸為~0.6-0.8 cm，具有金屬外觀。

Bi2Se3 is a topological insulator with a band gap of ~0.3 eV for bulk crystals. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Bi2Se3 belongs to the group-15 post-transition metal trichalcogenides.

The Bi2Se3 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and have a metallic appearance.

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:~ 8mm

顏色: 黑灰色

產(chǎn)品特點

Electrical properties：Topological insulator

Crystal structure：Rhombohedral

Unit cell parameters：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應用領(lǐng)域

Bi?Se?（硒化鉍）是一種三維拓撲絕緣體，具有多種潛在應用，包括但不限于以下領(lǐng)域：

拓撲絕緣體、量子霍爾效應相關(guān)研究：其表面存在受拓撲保護的、無能隙的金屬態(tài)導電通道，可用于研究拓撲絕緣體的特性和量子霍爾效應等特殊的電學現(xiàn)象；

鈉離子電池：在鈉離子電池中，基于拓撲絕緣體 Bi?Se?的異質(zhì)結(jié)硒化物可以展現(xiàn)出杰出的儲鈉快充能力。例如超薄的 Bi?Se?納米片具有豐富的電荷快速轉(zhuǎn)移表面，可作為穿入材料內(nèi)部的電子平臺，大大降低電荷傳輸阻力，提高整體導電性；兩種硒化物之間豐富的界面能促進 Na?的遷移，并提供額外的活性位點；

熱電材料：Bi?Se?具有一定的熱電性能，可將熱能轉(zhuǎn)化為電能，在熱電發(fā)電機中具有應用潛力；

電子學和器件：由于其特殊的電子性質(zhì)，可被用于新型電子器件的開發(fā)，如拓撲絕緣體晶體管和拓撲絕緣體自旋電子學器件等，這些器件在量子計算和量子信息處理中有潛在應用；

光電器件：在薄層形式下可以表現(xiàn)出二維電學特性，其晶體和電子結(jié)構(gòu)具有寬帶光吸收、厚度依賴的表面帶隙和偏振敏感光響應等特性，適用于光電子學領(lǐng)域，如可見-紅外探測、太赫茲探測等；

磁電性質(zhì)相關(guān)應用：表現(xiàn)出磁電性質(zhì)，即在磁場中會產(chǎn)生電壓，或施加電壓時可改變其磁性，這使其在磁電傳感器和記憶設備的開發(fā)方面具有潛在應用；

催化劑：將 Bi?Se?負載于 TiO?上可以得到納米復合材料，既提高 TiO?載流子的有效分離能力，又增強 TiO?對可見光吸收率，對聚丙烯酸丁酯和丁氧基丙酸丁酯展現(xiàn)出優(yōu)異的降解活性和穩(wěn)定性。